開発秘話:イオン注入装置 [SEMI News]

日本半導体歴史館「開発ものがたり」検索用頁

- 開発ものがたりトップ頁に戻る -

このページは、SEMI News 2004年7-8月号 開発秘話のへのリンクを容易にするために、記事に含まれる主要な用語を格納しているページです。実際の記事へのリンクは上記あるいは下記タイトルをクリックしてください。

 SEMI News 2004年7-8月号 20~21頁 「イオン注入装置

 【上記の記事に含まれる主要な用語】

日新イオン機器, 松田耕自, ドーパント, シリコン基板, 熱拡散, 中電流, 大電流, 高エネルギー, 日新ハイボルテージ,  HVE, イオン加速器, 電子線照射, 国産技術, 導入技術, 電磁石, 質量分析, 磁界制御, ホール素子, スライドダウン, ベルト搬送,  エンドステーション, 150ミリ径基板, ウエスタンエレクトリック, 200keV, EXCEED2300, イオンビーム走査, 大面積イオン源,  イオンドーピング,


この頁は、リンク先の記事内容を「開発ものがたり」の検索で有効にさせるためのものです。

 関連リンク欄

SEMI News 開発秘話集

プロセス技術  1980年代前半

ENCORE誌  2007年10月