開発秘話:縦型SiGeエピタキシャル成長装置開発の道のり [SEMI News]

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 SEMI News 2007年1-2月号 28~29頁

 「縦型SiGeエピタキシャル成長装置開発の道のり

 【上記の記事に含まれる主要な用語】

日立国際電気, 国井泰夫, 東北大学, 電気通信研究所, 室田淳一, 電電公社, 武蔵野, 64kbit, AP,  常圧, CVD, LP 減圧, 化学気相成長, 横型, 枚葉, UHV, 超高真空, NTT, ウルトラクリーン, 低温, ノンドープ, Si,  薄膜, 表面, 自然酸化膜, ヘイズ, 曇り, ターボ分子ポンプ, 分子ビーム, 選択エピ, 200mm, 300mm, ウェーハ, ロードロック,


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