開発秘話：シリコンメサトランジスタから（100）結晶面特許へ [SEMI News]

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　SEMI News 2008年9-10月号　24～25頁

　　　　「シリコンメサトランジスタから（100）結晶面特許へ」

　【上記の記事に含まれる主要な用語】

日立製作所,　大野稔,　CMOS,　結晶面方位,　電流方向,　ひずみ,　(100)面,　桃井敏光,　川地陽二,　 1963年,　只野文哉,　宮城精吉,　二重拡散,　フェアチャイルド,　プレーナトランジスタ,　SiO2,　RCA,　表面反転層,　n型反転層,　 磁場冷却,　FC効果,　Field Cooling,　IBM, BT処理,　Bias-Temperature,　C-V特性,　可動イオン,　Naイオン,　 <100>,　<110>,　<111>,　界面電荷,　特許申請,　D. Kahng,　ベル研,

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