開発秘話:LDD発明物語 [SEMI News]

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 SEMI News 2008年11-12月号 24~25頁 「LDD発明物語

 【上記の記事に含まれる主要な用語】

松下電器, パナソニック, 江崎豪彌, Lightly-Doped Drain, MOSFET, ソース, ドレイン,  拡散層, 電界強度, 不純物分布, マスク合わせ, 自己整合, ドライ・エッチング, 段差部, 側壁, 特許庁, 知財部門, IBM, Ogura, 昭和52-110724, 微細パターン, 異方性エッチング, 0.3μm, ゲート端部, 低濃度, Asイオン注入, 絶縁膜気相成長, 高濃度,  超LSI研究組合,


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