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松下電器, パナソニック, 江崎豪彌, Lightly-Doped Drain, MOSFET, ソース, ドレイン, 拡散層, 電界強度, 不純物分布, マスク合わせ, 自己整合, ドライ・エッチング, 段差部, 側壁, 特許庁, 知財部門, IBM, Ogura, 昭和52-110724, 微細パターン, 異方性エッチング, 0.3μm, ゲート端部, 低濃度, Asイオン注入, 絶縁膜気相成長, 高濃度, 超LSI研究組合,
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