開発秘話:高エネルギーイオン注入 [SEMI News]

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 SEMI News 2009年 No.1 28~29頁 「高エネルギーイオン注入

 【上記の記事に含まれる主要な用語】

ルネサステクノロジ, 塚本克博, MOS, 閾値電圧制御, 結晶構造, 損傷, 非晶質, 固層エピ成長, 注入原子,  ドーパント, トランジスタ, ペース形成, ボロン, ヒ素, エミッタ, 高周波, 高出力, 自動車無線, DRAM, リフレッシュ特性, 64K,  大電流, イオンビーム, MeV, イオン加速器, タンデム型, 静電加速器, CMOS, ウエル, レトログレード, 注入マスク, i線, ネガ型,  化学増幅レジスト, 四重極型,


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