1950年代 後半

シリコン単結晶

〜装置・材料/結晶・拡散・成膜〜


1950年代にベル研究所(Bell Telephone Laboratories)によってシリコン(Si)の接合型トランジスタが開発され、1955年にはTexas Instrumentsからシリコントランジスタが発売された。Siはゲルマニウム(Ge)よりバンドギャップが大きくオフ電流が小さくなり、かつより高温での安定動作が可能であり、Geトランジスタに代わって主流となった。

初期のSiトランジスタのSi単結晶は、Geと同じく主としてチョクラルスキー法によって形成されたが、母材となるSiは1940年代にDupontによって開発された塩素還元による金属Siが用いられた[1][2]

1956年に発表されたベル研究所のSiトランジスタのプログラムでは、更なる高純度Si単結晶が必要とされた。このため1950年代にSiemensによって開発されたTCS(SiCl3H)を水素還元して高純度Siを得る方法(通称Siemens Process と呼ばれる)が採用され、1950年代末には金属Si生成はこの方法に置き換わった[1]


[参考文献]
[1] D. Holbrook, “Diversity, Complementary, and Cooperation Materials Innovation in the Semiconductor Industry”
[2] 半導体歴史館:シリコントランジスタの開発とソニー - 日本半導体歴史館


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[1] 1950年代後半:内製の装置によるゲルマニウムトランジスタの量産
[2] 1950年代前半;ゲルマニウム(Ge)単結晶
[3] 1960年代前半:シリコントランジスタ用にCZ法によるSi結晶の製造開始
[4] 1960年代:シリコンウェーハのサプライチェーン確立

[5] 1990年代前半:200mm(8インチ)ウェーハへの移行

[6] SOIウェーハ
[7] 2000年代前半:300mmウェーハへの移行


[最終変更バージョン]
Ver.001 2018/07/09