1950年代 後半

真空蒸着装置

〜装置・材料/結晶・拡散・成膜〜


トランジスタ形成において、固相拡散源の成膜、金(Au)/銀(Ag)電極、Al電極などの成膜に真空蒸着法が使われた。真空蒸着法の基本原理は1857年のマイケル・ファラデーに遡るとされ、1930年代の油拡散ポンプの実用化によって光学レンズの反射防止膜形成など、広く使われるようになっていた。

気相拡散法[1]による拡散層形成の開発によって固相拡散源の真空蒸着法形成の必要はなくなっていったが、電極形成には不可欠であった。殊に1959年にFairchild Semiconductorによって発明されたプレーナー型の集積回路技術[2]においては、複数のトランジスタを接続するアルミニウム(Al)配線の成膜に使われるキーの技術になった。


[参考文献]
[1] 半導体歴史館:1950年代後半:気相拡散源と拡散炉
[2] 半導体歴史館:1959年:プレーナ型ICの発明(Robert Noyce、米国 Fairchild)


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[1] 1960年代:電極・配線形成に蒸着によるAl薄膜使用
[2] 1960年代:真空蒸着装置の展開
[3] 1975年頃:Al-Siスパッタ配線の採用
[4] 1980年代後半:シリサイドゲートへのスパッタ技術の採用

[5] 1990年代後半:CMP技術の採用

[6] 1990年代後半:ダマシン法によるCu配線技術の採用
[7] 2000年代後半:高速トランジスタにHigh-k/メタルゲートの採用

 


[最終変更バージョン]
Ver.001 2018/07/09