1950年代 後半

ネガ型フォトレジスト

〜装置・材料/リソグラフィ〜


最初のフォトリソグラフィは、1955年、ベル研究所(Bell Telephone Laboratories)で開発された。Jules AndrusとWalter L. Bondが、シリコンウェーハ上の酸化膜を開口してn型、p型の不純物拡散層を形成するために、プリント基板形成の写真製版技術を応用してフォトレジストで微細で精確なマスクを形成したものである。 このフォトレジストにEastman KodakのKPR(Kodak Photoresist)が使われた。KPRは新聞の写真印刷製版用として1950年に開発されたが、プリントばん基板形成や半導体微細加工に応用された。環状ゴムをベースとして感光材を添加したものである[1]。 プレーナープロセスから集積回路技術へと発展して行くひとつの契機となった。


[参考文献]
[1] Louis M Minsk, etal, “US2610120:”
"Photosensitization of polymeric cinnamic acid esters (US 2610120 A)"


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[1] 1959年:ステップ・アンド・リピートカメラ
[2] 1960年代:コンタクト方式リソグラフィ技術によるシリコンデバイスの製造
[3] 1960年代:フォトリピーター
[4] 1960年代:フォトマスク製造用縮小カメラ

[5] 1970年代中頃:リソグラフィー技術がコンタクト露光方式からプロキシミティ露光方式へ移行
[6] 1960年代:コンタクト露光装置

[7] 1960年代:ネガ型フォトレジストの展開

[8] 1960年代:パターンジェネレータ―

[9] 1970年代後半:リソグラフィ分野でプロジェクション・アライナーが登場

[10] 1970年代:プロキシミティ露光装置およびプロジェクション露光装置
[11] 1970年代:ポジ型フォトレジス

[12] 1978年代:縮小投影露光装置

[13] 1970年代:電子線描画装置

[14] 1980年代前半:微細化が進みリソグラフィはステッパに移行

[15] 1980年代:g線縮小投影露光装置の展開

[16] 1990年代後半:露光光源の短波長化(i 線からエキシマレーザー光へ)

[17] 1990年代前半i線縮小露光装置

[18] 1990年代後半:エキシマステッパー

[19] 1990年代後半:化学増幅系レジスト

[20] 2000年代:露光装置の光源がArFエキシマレーザーに移行し、更にレンズの液浸化適用拡大

[21] 2000年代:高解像度化技術

[22] 2000年代:液浸スキャナー


[最終変更バージョン]
Ver.001 2018/07/09