1960年代

ネガ型フォトレジストの展開

〜装置・材料/リソグラフィ〜


1955年にベル研究所(Bell Telephone Laboratories)で開発されたフォトリソグラフィ技術にはEastman Kodakのネガ型フォトレジストKPRが使われ[1]、1959年にはFarechilid Semiconductorによってこのフォトリソグラフィを応用したプレーナ型集積回路(IC)技術が発明された[2]。しかし1960年に始まった集積回路製造では、フォトレジストのピンホール欠陥、現像時のレジスト剥がれやスカム残渣などによる歩留低下問題があった。Eastman KodakはFairchildをはじめとする デバイスメーカーで生じたこれらの諸問題を反映、改良して、1961年、KTFR(Kodak Thin Film Resist)を発表した。KTFRはその後のIC製造に広範に使われた。

1960年代、日本の半導体デバイスメーカーもKTFRを輸入してトランジスタやIC製造を行った。しかし温度・湿度変化に敏感なフォトレジストは日本では不安定であったためフォトレジストの国内生産の要望が高まり、1968年、東京応化はネガ型フォトレジスト(OMR-81)を国産化した。OMRは日本のみならず、世界で広く使用されるようになった。


[参考文献]
[1] 半導体歴史館:1960年代後半:ネガ型フォトレジスト
[2] 半導体歴史館:1959年:プレーナ型ICの発明(Robert Noyce、米国 Fairchild)


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[1] 1950年代後半 :ネガ型フォトレジスト
[2] 1950年代後半 :ステップ・アンド・リピートカメラ
[3] 1960年代:コンタクト方式リソグラフィ技術によるシリコンデバイスの製造
[4] 1960年代:フォトリピーター

[5] 1960年代前半:フォトマスク製造用縮小カメラ
[6] 1970年代中頃:リソグラフィー技術がコンタクト露光方式からプロキシミティ露光方式へ移行

[7] 1960年代:コンタクト露光装置

[8] 1960年代:パターンジェネレータ―

[9] 1970年代後半:リソグラフィ分野でプロジェクション・アライナーが登場

[10] 1970年代:プロキシミティ露光装置およびプロジェクション露光装置
[11] 1970年代:ポジ型フォトレジスト

[12] 1978年代:縮小投影露光装置

[13] 1970年代:電子線描画装置

[14] 1980年代前半:微細化が進みリソグラフィはステッパに移行

[15] 1980年代:g線縮小投影露光装置の展開

[16] 1990年代後半:露光光源の短波長化(i 線からエキシマレーザー光へ)

[17] 1990年代前半i線縮小露光装置

[18] 1990年代後半:エキシマステッパー

[19] 1990年代後半:化学増幅系レジスト

[20] 2000年代:露光装置の光源がArFエキシマレーザーに移行し、更にレンズの液浸化適用拡大

[21] 2000年代:高解像度化技術

[22] 2000年代:液浸スキャナー


[最終変更バージョン]
Ver.001 2018/07/09