1960年代後半

プラズマアッシャー

〜装置・材料/エッチ・洗浄・研磨〜


フォトレジストの剥離には液体の有機剥離溶剤(J100)が使われていた。1967年、SigneticsのStephan Irvingはフォトレジストを酸素プラズマで乾式灰化して除去する方法を発表した[1]。 同年、LFEはこの方法を装置化(プラズマアッシャー)した。半導体製造工程でプラズマが使われた最初である。国内では1971年に東京応化から発売された(OPM)。


[参考文献]
[1] Plasma etching: Yesterday, today, and tomorrow


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[1] 1970年代後半:等方性プラズマエッチングの採用
[2] 1970年代:プラズマエッチング装置
[3] 1970年代後半:プラズマCVD装置
[4] 1978年: 反応性イオンエッチング(RIE)装置
[5] 1980年代前半:異方性プラズマエッチング装置(RIE)の導入
[6] 1980年代中頃:リフロー法からエッチバックによる平坦化に移行
[7] 1980年代:プラズマCVD(低温SiO2/SiN)主流
[8] 1990年代前半:HDPエッチ&CVD(ECR、ICP)
[9] 1980年代後半:枚葉式クラスター装置
[10] 1990年代:枚葉化装置の量産導入
[11] 1990年代後半:CMP技術の採用
[12] 1990年代後半:シャロートレンチアイソレーション(STI)の採用
[13] 1990年代後半:ダマシン法によるCu配線技術の採用


[最終変更バージョン]
Ver.001 2018/07/09