1987年

W-CVD装置

〜装置・材料/結晶・拡散・成膜〜


サブミクロン領域へ微細化が進み、MOSFETのソース・ドレインの拡散層が薄くなると、Al配線との接触抵抗が問題になってきた。そこでSiとAl配線の接続部の間に高融点金属を設ける技術が求められた。 1988年、Genusを接続部のコンタクト孔に選択的に堆積させるW-CVD装置を発表した(Genus-8720)[1]。 WF6ガスを水素還元して金属Wを堆積させる。壁面への堆積を防ぐコールド・ウォール・チャンバーを使用し、さらにチャンバー内部をプラズマクリーニングする機構を備えた。Wプラグ方式をVLSIの標準プロセスにする契機となった。


【参考文献】
[1]Genus-8720 Tungsten CVD System

 

[移動ページ]
■ 装置材料 該当年代へ

■歴史館の他のページへ
| HOME | ようこそ | 業界動向 | 応用製品 | 集積回路 | 個別半導体他 | プロセス技術 |
| パッケージング技術 | 装置・材料 |


【半導体歴史館で成膜関連の展示は以下をご覧ください】
[1] 1960年代前半:横型拡散炉による熱酸化膜及び気相拡散へ移行
[2] 1960年代前半:シリコントランジスタ製造にエピタキシャル技術を採用
[3] 1960年代前半:横型拡散炉
[4] 1960年代後半:常圧CVDによる酸化膜採用
[5] 1960年代後半:CVD酸化膜を低雑音化プロセスに応用
[6] 1960年代後半:イオン注入装置
[7] 1970年代前半:Poly Si/Oxide/SiNの成膜に減圧CVDを採用
[8] 1970年代前半:イオン注入による閾値制御
[9] 1970年代:減圧CVD(LPCVD)装置
[10] 1970年代後半: プラズマCVD装置
[11] 1980年代前半:イオン注入による拡散源形成に移行
[12] 1980年代:プラズマCVD(低温SiO2/SiN)主流
[13] 1986年:縦型炉
[14] 1990年代前半:HDPエッチ&CVD(ECR、ICP)
[15] 2000年代:ALD(原子層成膜)


[最終変更バージョン]
Ver.001 2019/11/23