1980年代

全自動化ファブ

〜装置・材料/ファブ・共通〜


1980年代はDRAMの高集積・大容量化が進展し、キロビットからメガビットクラスへ世代交代すると共に、生産量も飛躍的に増大した。そのため、より効率的なファブの構築が望まれた。生産ラインの自動化はこの時代の必然的な要求でもあった。とりわけ、カセット・ツー・カセット、及びジョブショップ方式を前提としたウェハ製造プロセスでは、自動化のための基盤ともなる製造装置、ウェハ移送・搬送、ロボット、計算機制御システム等の多岐に渡る技術が確立された。一方、歩留に直結するクリーン化技術の進化も目覚ましかった[1]。 これら諸技術を集大成することにより全自動化ファブは可能となった。三菱電機の西条工場はその具体例として特筆される。塩分の多い海岸近くに半導体ファブを建設するなど当時は非常識とも云われたが1984年に完成、稼働を開始した。その後建設される自動化ファブのモデルともなった。

   
図1 西条工場 図2  ウェハ搬送ロボット


【参考文献】
[1] 半導体歴史館:1970年代後半: プラズマCVD装置 [工事中]
[2] 半導体歴史館:1978年: 反応性イオンエッチング(RIE)装置

 

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