日本半導体イノベーション５０選 （Ｔ-１０ １９８０年代）
DRAM三次元セルの開発と実用化
DRAMの微細化、大容量化に伴い、メモリセルの蓄積容量の低下がソフトエラー等のデバイス動作の基本問題となった。メモリセル蓄積容量増大のため、NEC開発のONO膜(1976年）等、種々の開発が行われたが、その後三次元構造セルによる抜本的な蓄積容量増大技術が発明・開発された。日立の小柳は、1978年にStacked Capacitor Cellを、角南は1982年にTrench Cellの三次元構造のメモリセルをいずれもIEDMでそれぞれに発表。これらの二方式のセルは共にその後のMega-bit以降のDRAM製品で広く採用され、DRAM基本技術となった。
| スタックトセルの断面構造 | トレンチセルの断面構造 |
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| （出典１） | （出典２） |
リンク欄
■日本半導体歴史館 対象展示室（１）「DRAMで立体セル構造を採用」
■日本半導体歴史館 対象展示室（２）「DRAMの大容量化とCMOS化の進展、日本メーカが市場を席巻」
■半導体産業人協会 ENCORE誌2006年10月号（PDF）「DRAM用トレンチキャパシタの発明と実用化経緯（1）」
■半導体産業人協会 ENCORE誌2007年1月号（PDF）「DRAM用トレンチキャパシタの発明と実用化経緯（2）」
■半導体産業人協会 ENCORE誌2008年10月号「DRAM用スタックドキャパシタ・メモリセルの発明と実用化経緯」
■H.Sunami et al., Technical Digest of IEEE International Electron Devices Meeting, pp.806-808, 1982.
写真出典１
Technical Digest of IEEE International Electron Devices Meeting, pp.348-351,
1978.
写真出典２
Technical Digest of IEEE International Electron Devices Meeting, pp.806-808,
1982.