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2000年後半
More than Mooreといわれる半導体技術、製品分野
の広がりが本格化
〜業界動向〜
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これに伴い競争領域も従来の高集積、微細化以外に、グリーンデバイス、GaAs、Inp、SiC等の新材料、システムアップ力、ソフトウエア、応用分野での高い専門性等がより重要視されるようになったが、
低価格化の波はこの分野でも変わっていない。
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積層分野ではIC内でのTSV, Micro Bumpによる多層化、ICをそのまま多段化するSMD、SiP、POP等が進展しているが、微細化による開発コスト、制作期間をこの手法で大幅縮減、製品のコストダウン、QTATにつなげている。
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またパワー半導体もグリーン対策、応用分野の拡大で着実に成長している。
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日経マイクロデバイス2008年2月号2)を参考に作図 |
パワー半導体世界ランク |
ランク |
企業 |
2006年売上M$ |
シェア |
1 |
Fairchild USA |
938 |
10.9 |
2 |
STM Italy |
855 |
9.9 |
3 |
Int. Rectifier USA |
818 |
9.5 |
4 |
Infenion Germany |
739 |
8.6 |
5 |
東芝 |
613 |
7.1 |
6 |
三菱電機 |
572 |
6.6 |
7 |
Visay Intertech USA |
451 |
5.2 |
8 |
ルネサス |
366 |
4.2 |
9 |
富士電機 |
366 |
4.2 |
10 |
NEC |
341 |
3.9 |
注.トップは欧米メーカーだが、今後は日本メーカの躍進が期待されている。
1) IDMの総合力
2) これから応用の広がるSiC power MosFETでの技術開発が順調である。
3) 電気自動車の応用が日本で加速し市場が拡大する。
データソース:日経マイクロデバイス2008年2月号2)
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- MEMSの市場拡大も急速で各種センサ(モーション、ジャイロ、加速度、圧力、温度等)Siマイク、RFスイッチ、光通信モジュール、等で2005年の世界市場5.3B$は年率10%超で成長中である。
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市場 |
2005 |
2010 |
CAGR |
MEMS材料 |
0.85 B$ |
0.77 |
15% |
MEMS 装置 |
0.63 |
0.86 |
6 |
MEMS デバイス |
5.3 |
9.9 |
13 |
MEMS System |
48 |
95 |
15% |
データソース:Yole Development5)のデータより作成 |
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LED市場が急伸している。特に一般照明向けに採用され始めた超高輝度LEDが伸長し従来の蛍光灯、電球に取って代わっている。2009年のLED照明市場規模は前年比+11%の7.4B$で
2013年には14.3B$と2倍に拡大するとi-Supply社は発表している。2000年後半でのLEDの伸びは常に年率10%を超えており一般照明のみならず、自動車関連、交通信号機、街路灯、携帯電話、PC等のLCD
Display バックライト等に使われてきたが、今後はさらにLCD TV用を考慮すると2013年の14.3B$はむしろ低めかもしれない。製造技術の特許動向は、日亜化学やCree,
Osram,台湾、韓国のメーカのクロスライセンス契約が 活発になってきており、今後は製造拠点の拡大、流動化も一層グローバル的になる。
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【参考文献】
1. Ventus Consulting Inc.
2. 日経マイクロデバイス2008年2月号「パワー半導体特集」p.37
3. 岐路に立つ半導体産業 佐野 昌
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【最終変更バージョン】
rev.004 2013/5/28 |