2008年
35mmフルサイズ2418万画素CMOS撮像素子開発
(ソニー)
〜個別半導体・他〜


CMOS撮像素子は、CCD より古く、1967年にその概念が提案された。

特有の製造プロセスを必要とするCCD撮像素子に対して、標準CMOSプロセスで製造できるので、システムオンチップが容易であるという利点がある。単一電源、低消費電力動作にも特長がある。

CMOS撮像素子は、画素ごとに信号増幅トランジスタを持つため、増幅トランジスタの性能ばらつきによる固定パターン雑音が、映像信号のS/N比を悪化させるという大きな課題を抱えている。このため高画質を要求されるデジタルカメラなどは主としてCCD撮像素子が使われてきた。

しかし、1999年に世界初のデジタルカメラ内蔵携帯電話「VP-210」がDDIより発売され、カメラ内蔵が携帯電話の主流になるが、携帯電話では消費電力がCCDよりひとけた少ないCMOS撮像素子が主に採用された。2004年にはCMOS撮像素子の出荷個数がCCD撮像素子の出荷個数を上回った。

また、大型撮像素子では消費電力の少なさが生きてくることから、デジタル一眼レフカメラにはCMOS撮像素子が使われる事が多い。例えば、キャノンが2000年に発売したデジタル一眼レフ「EOS D30」には有効325万画素のCMOS撮像素子が採用された。

デジタル一眼レフカメラでは、35mmフルサイズの撮像素子の要求が強く、2008年にソニーは、世界初の35mmフルサイズで有効2481画素のCMOS撮像素子を開発した。キャノンもほぼ同じ時期に35mmフルサイズ2010万画素CMOS撮像素子を開発、これを搭載した世界で初めてのHDTV動画撮影が可能なデジタル一眼レフカメラ「EOD 5D Mark U」を発売している。CMOS撮像素子の宿命である固定パターン雑音を除去に、図に示すようなひとつの光信号に対してまず雑音情報のみを、次に光信号を乗せて読み出し、後者から前者を引くことで、固定パターン雑音を低減する技術など、いろいろな雑音除去、制御技術が駆使されている。


 イメージサイズ  対角43.3mm(2.7型)
 総画素数  6236(H)×4124(V) 約2572万画素
 有効画素数  6104(H)×4064(V) 約2481万画素
 実効画素数  6096(H)×4056(V) 約2473万画素
 チップサイズ  41.0mm(H)×31.9 mm(V)
 ユニットセルサイズ  5.94μm(H)×5.94μm(V)
図1 35mmフルサイズ CMOS撮像素子の写真と諸元(1)

図2 固定パターンノイズを取り除く、オンチップノイズ除去技術(2)

【参考文献】
(1)ソニー ニュースリリース、“35mmフルサイズで有効2418画素と高速読み出しを実現 デジタル一眼レフカメラ向けCMOSイメージセンサー開発”、(2008年01月30日)
  http://www.sony.co.jp/SonyInfo/News/Press/200801/08-010/index.html
(2)キャノン “CMOSセンサーの世界”
  http://cweb.canon.jp/camera/cmos/index-j.html

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【最終変更バージョン】
rev.000 2010/10/26