1960年 MOSFET発明（BTL） 〜個別半導体・他〜

ゲート絶縁膜（MIS：Metal-Insulator-Semiconductor）型電界効果トランジスタ（FET）は1926年頃から、Lilienfeld, Heil, Shockley などにより提案されていたが、大量に存在する表面電荷（Surface State）の悪影響を克服できないため、動作には成功していなかった。1954年にBTL(Bell Telephone Laboratory)のC. FroschがSi単結晶を水蒸気中て高温熱処理することで、極めて良質の酸化膜がSi表面に成長することを発見した。1959年にBTLのJ. AttalaとD. Kahngは、この水蒸気酸化シリコン酸化膜をゲート酸化膜に用いるFET構造を考案し、世界で初めてその安定動作に成功、1960年に発表した。同時にUS特許3056888号、3102230号に登録された。 この時はまだMOSFETの名前は使われておらず、特許の発明の名称は“Semiconductor Triode”となっている。ソース、ゲート、ドレインもまだ使われておらず、カソード、グリッド、アノードとなっている。 MOSFETの商品化は1964年にGEやFairchildが、日本では1965年に日立が始めた。

図１　US特許3102230号の実施例図 半導体基板12はやや抵抗の高いｐ型シリコンで、アノード14とカノード13の部分は部分的にｎ型になっていて抵抗を低くしてあり、ここに金属の電極24､25を設ける。半導体（シリコン、Si）の表面は酸化されて二酸化珪素（SiO２）膜22が作られている。SiO２絶縁体膜の上にグリッド21となる金属電極が付けられている。なお、アノードとカソードの電極はSiO２膜に穴を開け、半導体に直接、金属電極が接触させている。（１）

【参考文献】 (1) US特許　3102230 (2) “特許で読むMOS型電界効果トランジスタ“　電光石材 　　http://denkou.cdx.jp/Ele/E1/EF1_3.html

【移動ページ】 個別半導体他/該当年代へ

【最終変更バージョン】 rev.001 2010/10/26