黎明期の人々

有住徹彌
(ありずみてつや)


1913年(大正 2年)生(熊本県)
1936年(昭和11年) 京都帝国大学理学部卒業、川西機械製作所(後に神戸工業)入所
1959年(昭和34年) 名古屋大学教授
1966年(昭和41年) 中日文化賞を受賞(「半導体の気相成長」)
1976年(昭和51年) 電気通信大学教授
1978年(昭和53年) 大同工業大学教授
1986年(昭和61年) 勲三等瑞宝章を受章

川西機械製作所(昭和24年神戸工業に社名変更)に入所後は電子管の研究に従事していたが、1948年(昭和23年)江崎玲於奈らとともにトランジスタの研究を始めた。当初Si精製技術の開発を行い単結晶引き上げに成功したが、1951年(昭和26年)米国ではGeが先行していることを聞きつけ、直ちにGeトランジスタの研究に転換、翌1952年(昭和27年)点接触形トランジスタ(低周波用)の開発に成功した。その後、高周波用(A形)点接触形トランジスタと接合形トランジスタの開発を進め、1954年(昭和29年)1月には5石トランジスタラジオの試作に成功した。1959年(昭和34年)名古屋大学に着任後は、半導体物性、結晶成長の研究を行い、多くの半導体研究者、技術者を輩出した。特に、気相エピタキシャル成長に関する先駆的研究は、後の集積回路技術の基礎となった。また、数々の半導体関連国際会議の誘致に努めるとともに、1969年(昭和44年)には「第1回固体素子コンファレンス」(第5回からは国際会議に発展、現在は「固体素子材料コンファレンス」として毎年開催)を組織するなど日本の半導体デバイス技術の国際的水準の高揚に貢献した。


【参考文献】


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【最終変更バージョン】
ver000 2010/12/1

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