黎明期の人々

武石喜幸 （たけいしよしゆき）

１９２７年（昭和　２年）生 １９５３年（昭和２８年）　東京芝浦電気入社 １９７３年（昭和４８年）　総合研究所　集積回路研究所長 １９７５年（昭和５０年）　大河内記念技術賞受賞 １９７９年（昭和５４年）　半導体事業部　半導体技術研究所長 １９８１年（昭和５６年）　総合研究所次長 １９８１年（昭和５６年）　科学技術長官賞受賞 １９８４年（昭和５９年）　総合研究所　超ＬＳＩ研究所長 １９８６年（昭和６１年）　役員待遇 １９８８年（昭和６３年）　ＵＬＳＩ研究所長（役員待遇） １９８８年（昭和６３年）　紫綬褒章受賞 １９９０年（平成　２年）　IEEE J. J. Ebers賞受賞 武石喜幸は、東芝において研究者として高い業績を上げつつ、集積回路の技術開発・事業推進に多大の貢献を果たした。また頻繁な海外交流を通じて、国内技術の発展に寄与した。 東芝入社当時は、真空管のカソードからの電子放出の基礎研究に従事し、１９６２年からBell研究所に留学して国際的な知己を得るとともに固体表面物性の分野で多くの研究論文を発表。帰国後シリコンとSiO２との界面の研究に移行し、これを契機に純粋な基礎研究から集積回路の研究・開発に踏み込むこととなった。１９７３年に、日本初の独立した集積回路研究所を設立したが、その後他社でも追従することになった。また１９７５年に設立された超LSI技術研究組合に出向し、電子ビーム描画技術の開発に貢献。１９７９年には東芝半導体事業部の研究所長となり、メモリやマイコンの事業化を推進。その間、国内技術者の国際学会での活動を奨励・支援し、米国研究機関への寄付等を通じて日米半導体摩擦の緩和にも配慮した。 １９８８年には「２重ゲート構造のMOS集積回路の開発」で紫綬褒章を受け、更に１９９０年にはProgrammable MemoryとVLSI Technologyの開発で J. J. Ebers賞を受賞するなど多数の賞を受賞した。

【参考文献】 【移動ページ】 黎明期の人々/該当年代へ 【最終変更バージョン】 ver000 2010/10/12

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