開発秘話:NANDフラッシュメモリ [SEMI News]

日本半導体歴史館「開発ものがたり」検索用頁

- 開発ものがたりトップ頁に戻る -

このページは、SEMI News 2009年 No.2 開発秘話のへのリンクを容易にするために、記事に含まれる主要な用語を格納しているページです。 実際の記事へのリンクは上記あるいは下記タイトルをクリックしてください。

 SEMI News 2009年 No.2 24~25頁 「NANDフラッシュメモリ

 【上記の記事に含まれる主要な用語】

東芝, 中根正義, 不揮発性メモリ, EEPROM, 磁気メモリ, 半導体ストレージ, FNトンネル, ホットエレクトロン,  ページプログラミング, 書換え, 酸化膜, 疲労劣化, 不良救済, CPUバス, 外部記憶装置, ファイル応用, シリアルアクセス, コマンドアドレス,  サムスン電子, 岩手東芝, フェールセーフシステム, HDD, フラッシュカード, SSFDC, SDC, SDカード, メモリステック, 多値NAND,


この頁は、リンク先の記事内容を「開発ものがたり」の検索で有効にさせるためのものです。

 関連リンク欄

SEMI News 開発秘話集

志村資料室第Ⅱ部

イノベーション50選  D-10

集積回路  1984年