1987年

W-CVD装置

〜装置・材料/結晶・拡散・成膜〜


サブミクロン領域へ微細化が進み、MOSFETのソース・ドレインの拡散層が薄くなると、Al配線との接触抵抗が問題になってきた。そこでSiとAl配線の接続部の間に高融点金属を設ける技術が求められた。 1988年、Genusを接続部のコンタクト孔に選択的に堆積させるW-CVD装置を発表した(Genus-8720)[1]。 WF6ガスを水素還元して金属Wを堆積させる。壁面への堆積を防ぐコールド・ウォール・チャンバーを使用し、さらにチャンバー内部をプラズマクリーニングする機構を備えた。Wプラグ方式をVLSIの標準プロセスにする契機となった。


【参考文献】
[1]Genus-8720 Tungsten CVD System

 

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