半導体業界が指向する製造装置のプラットフォーム化の下で、1998年から奇数年ごとに発行されるITRSに基づきながらスケーリングに対応する製造装置・材料の開発がすすめられた。
2001年に300㎜ウェーハによるULSI生産がスタートした。以後90nm以下の微細化は300ンウェーハプロセスにより進められるようになった。従来のウェーハ大口径化への移行と異なり、パワー半導体、MEMS、センサや110nm以上のVLSIは8インチ(200mm)ウェーハで生産され、300㎜と8インチの両サイズのウェーハプロセスが並行して成長するようになった。
2001年、東京エレクトロンから少量多品種のSoC生産のリードタイム短縮、微細化のためのサーマル・バジェッド低減が図れる高速昇降温縦型炉が発表された。
2003年にASMLから液浸露光装置が発表され、その後この方式が微細露光の主流となった。
2006年、特定有害物質の使用を規制するRoHS指令が施行された。半導体関連各社は積極的に本指令に準拠する対応を進めた。
