1970年

RCA洗浄

〜装置・材料/エッチ・洗浄・研磨〜


RCA洗浄はWerner Kernによって1965年頃に開発され、1970年のRCA Review誌で発表された[1][2] 。 シリコンウェーハ洗浄において、NH4OH(水酸化アンモニウム)とHCl(塩酸)およびH2O2(過酸化水素)の水溶液で洗浄するSC-1洗浄と、その後に、HCl(塩酸)とH2O2の水溶液で洗浄するSC-2洗浄を行う方法である。いずれも溶融石英の容器に入れて75〜80℃の温度でウェーハを浸漬させて洗浄する。SC-1洗浄は、有機物の溶解除去と非溶解性のパーティクルを剥離除去する効果をもつ。また、SC-2洗浄は金属イオン汚染物を除去する効果がある。このRCA洗浄は半導体の洗浄法の標準となり、世界の半導体メーカーで40年以上にわたって広く使用されるようになった。

洗浄に使用される半導体グレードの薬液は、1960年代前半から市場で供給されるようになった。日本では、三菱ガス化学 関東化学などから製造・販売された。またRCA洗浄を多漕容器で連続して行うバッチ式の洗浄装置も市販されるようになった。


【参考文献】
[1] W. Kern and D. Puotinen, RCA Review 3, p187 (1970)
[2] Kern, W. (1990). “The Evolution of Silicon Wafer Cleaning Technology”. Journal of the Electrochemical Society 137 (6)


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[1] 1950年代 超純水
[2] 1980年代:ウルトラクリーン・テクノロジーの進展
[3] 1980年代後半:ウェーハ裏面洗浄装置
[4] 1990年代前半:ワンバス式ウェーハ洗浄装置


[最終変更バージョン]
Ver.001 2018/10/01