1987年

クリーントラック

〜装置・材料/リソグラフィ〜


フォトリソグラフィのプロセスは、@フォトレジスト塗布、Aプリベーク、B露光、C現像、Dポストベーク、EUVキュアの順で処理される。装置としては、フォトレジストを塗布・現像する
スピンナー、プリ・ポストベークするベーク炉、UVキュアする紫外線照射装置からなる。これらの装置は、1960年代にGCAにより商品化された。1970年代には、これらの機構を接続し、
ウェーハをベルト搬送して連続処理するようになった[1]
1988年、東京エレクトロンはベルト搬送からロボットアーム搬送方式に替え、処理室を多段にして、高スループッ化ト、省スペース化したクリーントラック(MARK X)を発表した[2] 。1990年代にはリソグラフィに化学増幅系フォトレジストが使われるようになり、フォトレジストの塗布・現像工程は複雑化し精密な制御が必要になった。様々な処理室を多段に設けてロボットアーム高速にウェーハ搬送するこの方式はクリーントラックの標準になった。
また1990年代には多層配線の塗布型の低誘電率絶縁膜形成にもこの方式のクリーントラックが用いられるようになった。


【参考文献】
[1] TEL Clean Track MarkU Chip History
[2] コータ・デイベロッパ−(MARK V) 半導体歴史館 開発ものがたり

 

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[1] 1950年代後半:ネガ型フォトレジスト
[2] 1959年:ステップ・アンド・リピートカメラ
[3] 1960年代:コンタクト方式リソグラフィ技術によるシリコンデバイスの製造
[4] 1960年代:フォトリピーター
[5] 1960年代:フォトマスク製造用縮小カメラ
[6] 1970年代中頃:リソグラフィー技術がコンタクト露光方式からプロキシミティ露光方式へ移行
[7] 1960年代: コンタクト露光装置
[8] 1960年代: ネガ型フォトレジストの展開
[9] 1968年:パターンジェネレータ
[10] 1970年代後半:リソグラフィ分野でプロジェクション・アライナーが登場
[11] 1970年代:プロキシミティ露光装置およびプロジェクション露光装置
[12] 1970年代後半:ポジ型フォトレジスト
[13] 1970年代:電子線描画装置
[14] 1978年:縮小投影露光装置
[15] 1980年代前半:微細化が進みリソグラフィはステッパに移行
[16] 1980年代 g線縮小投影露光装置
[17] 1980年代 g線フォトレジスト
[18] 1990年代後半:露光光源の短波長化(i 線からエキシマレーザー光へ)
[19] 1990年代前半 i線縮小露光装置
[20] 1990年代後半:エキシマステッパー
[21] 1990年代後半:化学増幅系レジスト
[22] 2000年代:露光装置の光源がArFエキシマレーザーに移行し、更にレンズの液浸化適用拡大
[23] 2000年代:高解像度化技術
[24] 2000年代:液浸スキャナー


[最終変更バージョン]
Ver.001 2019/12/3